Quadcept : ダイオード D-Junction Diodes

デバイスタイプ ダイオード D-Junction Diodes

デバイスタイプ ダイオード D-Junction Diodesについてご説明します。

モデル設定

ダイオードは、その特性を指定するのに、一覧からモデルの選択が必要です。

選択したモデル内に記載されているモデルパラメーターは2種類あり一つ目は下記の意味になります。(Case1)

名前 概要 単位 デフォルト値
Ron 順方向導通時の抵抗 1
Roff オフ時の抵抗 1./Gmin
Vfwd 導通状態に入る順方向しきい値電圧 V 0
Vrev 逆方向ブレークダウン電圧 V Infin.
Rrev ブレークダウン・インピーダンス Ron
Ilimit 順方向電流制限 A Infin.
Revilimit 逆電流制限 A Infin.
Epsilon 2次領域の幅 V 0
Revepsilon 逆方向の2次領域の幅 V 0


選択したモデル内に記載されているモデルパラメーターの二つ目は下記の意味になります。(Case2)

名前 概要 単位 デフォルト値
Is 飽和電流 V 1.00E-14 1.00E-07
Rs オーミック抵抗 0. 10.
N 発行係数   1. 1.
Tt 遷移時間 sec 0. 2n
Cjo ゼロバイアス接合容量 F 0. 2p
Vj 接合部電位 V 1. .6
M 濃度勾配係数   0.5 0.5
Eg 活性化エネルギー eV 1.11 1.11Si
0.69Sbd
0.67Ge
Xti 飽和電流の温度指数   3.0 3.0jn
2.0Sbd
Kf フリッカ・ノイズ係数   0.  
Af フリッカ・ノイズ指数 1. 1.  
Fc 順バイアス時の空之層容量式の係数   1.  
BV 逆方向ブレークダウン電圧 V Infin. 40.
nbv 逆方向ブレークダウン放射係数   1. 2.
Ibv ブレークダウン電圧時の電流 A 1.0E-10  
Ibvl 低レベルの逆方向ブレークダウン屈曲点電流 A 0.  
nbvl 低レベルの逆方向ブレークダウン放射係数   1.  
Tnom パラメータ測定温度 27 50
Isr 再結合電流パラメータ A 0.  
Nr Isr放射係数   2  
Ikf 高注入屈曲点電流 A Infin.  
Tikf Ikfの1次温度係数 /℃ 0.  
Trs1 Rsの1次温度係数 /℃ 0.  
Trs2 Rsの2次温度係数 /℃ 0.  
Tbv1 ブレークダウン電圧の温度係数 /℃ 0.  
Tbv2 ブレークダウン電圧の2次温度係数 /℃ 0.  
Tikf Ikfの温度係数 /℃ 0.  
Perim デフォルトの周囲長 m 0.  
Isw サイドウォールのIs A 0.  
ns サイドウォールの放射係数   1.  
Rsw サイドウォールの直列抵抗 0.  
Cjsw サイドウォールのCjo F 0.  
Vjsw サイドウォールのVj V Vj  
mjsw サイドウォールのmj   0.33  
Fcs サイドウォールのFc   Fc  

Spiceピンオーダー設定

Spiceピンオーダーは、アノードピンに"A"、カソードピンに"K"と、設定してください。

 

ピンオーダー一覧
Spiceピンオーダー シンボルピン番号
A アノード側のピンを設定
K カソード側のピンを設定

※設定が逆の場合、LTspice連携後のアノードピンに表示されるので注意してください。