Quadcept : トランジスタ Q-Bipolar Junction Transistors

デバイスタイプ トランジスタ Q-Bipolar Junction Transistors

デバイスタイプ トランジスタ Q-Bipolar Junction Transistorsについてご説明します。

モデル設定

トランジスタは、その特性を指定するのに、モデル一覧から選択が必要です。
型番の次にある"NPN"と"PNP"はトランジスタの極性を意味します。


選択したモデル内に記載されているモデルパラメーターは下記の意味になります。

名前 概要 単位 デフォルト値
Is 輸送飽和電流 A 1E-16
Ibc ベース-コレクタ間飽和電流 A IS
Ibe ベース-エミッタ間飽和電流 A IS
Bf 理想的な順方向電流増幅率の最大値   100
Nf 順方向電流の放射係数   1.
Vaf 順方向アーリー電圧 V Infin.
Ikf 順方向電流増幅率の大電流時ロールオフ特性のコーナー A Infin
nk 大電流時のロールオフ係数   .5
Ise B-E間漏れ電流の飽和電流 A 0.
Ne B-E間漏れ電流の放射係数   1.5
Br 理想的な逆方向電流増幅率の最大値   1.
Nr 逆方向電流の放射係数   1.
Var 逆方向アーリー電圧 V Infin.
Ikr 逆方向電流増幅率の大電流時のロールオフ特性のコーナー A Infin.
Isc B-C間漏れ電流の飽和電流 A 0
Nc B-C間漏れ電流の放射係数   2
Rb ゼロバイアスでのベース抵抗   0
Irb ベース抵抗が途中でその最小値に低下する電流 A Infin.
Rbm 大電流時のベース抵抗の最小値 Rb
Re エミッタ抵抗 0.
Rc コレクタ抵抗 0.
Cje ゼロバイアス時のB-E間空之層容量 F 0.
Vje B-E間拡散電位 V 0.75
Mje B-E接合部の指数因子   0.33
Tf 理想的な順方向遷移時間 sec 0.
Xtf Tfのバイアス依存症の係数   0.
Vtf TfのVbc依存性を示す電圧 V Infin.
Itf Tfに対する影響に対応する大電流パラメータ A 0.
Ptf freq=1/(Tf*2*)Hzでの過剰位相 ° 0.
Cjc ゼロバイアス時のB-C間空之層容量 F 0.
Vjc B-C間拡散電位 V 0.75
Mjc B-C接合部の指数因子   0.33
Xcjc 内部ベース・ノードに接続されたB-C間空之層容量の一部   1.
Xcjc2 内部ベース・ノードと外因性コレクタの間に接続されたB-C間空之層容量の一部   0
extsub 基盤容量の電荷分割に使用される、より本質的なコレクタ・ノードの外因性   0
Tr 理想的な逆方向遷移時間 sec 0.
Cjs ゼロバイアスでのコレクタ-基板間容量 F 0.
Xcjs 内部でRCに接続されているCjsの一部 F 0.
Vjs 基板接合部の拡散電位 V 0.75
Mjs 基板接合部の指数因子   0.
Xtb 順方向と逆方向の電流増幅率温度指数   0.
Eg Isに対する温度の影響に対応するエネルギー・ギャップ eV 1.11
Xti Isに対する影響の温度指数   3.
Kf フリッカ・ノイズ係数   0.
Af フリッカ・ノイズ指数   1.
Fc 順バイアス時の空之層容量式の係数   0.5
Subs LPNPを使用しない場合の形状セレクタ:1は縦型を意味し、2は縦型を意味する   NPN:1
PNP:2
BVcho コレクタ-ベース間ブレークダウン電圧   Infin.
nBVcho コレクタ-ベース間ブレークダウン電圧の係数   5
BVbe ベース-エミッタ間ブレークダウン電圧 V Infin.
Ibvbe ベース-エミッタ間ブレークダウン電圧時の電流 A 1E-10
nbvbe ベース-エミッタ間ブレークダウン電圧の係数   1.
Tnom パラメータ測定温度 27
Cn 正孔移動度の順飽和状態温度係数 2.42NPN
2.2PNP
D 散乱が制限された正孔キャリア速度の準飽和状態温度係数 .87NPN
.52PNP
Gamma エピタキシャル領域のドーピング率   1E-11
Qco エピタキシャル領域の電荷係数 Coul 0.
Quasimod 温度依存性の準飽和状態フラグ   (設定なし)
Rco エピタキシャル領域の抵抗 0.
Vg 0°Kでの準飽和状態を外挿したバンドキャプ電圧 V 1.206
Vo キャリア速度の屈曲点電圧 V 10.
Tre1 Reの1次温度係数 1/℃ 0.
Tre2 Reの2次温度係数 1/℃ 0.
Trb1 Rbの1次温度係数 1/℃ 0.
Trb2 Rbの2次温度係数 1/℃ 0.
Trc1 Rcの1次温度係数 1/℃ 0.
Trc2 Rcの2次温度係数 1/℃ 0.
Trm1 Rmの1次温度係数 1/℃ 0.
Trm2 Rmの2次温度係数 1/℃ 0.
Iss 基板接合部の飽和電流 A 0.
Ns 基板接合部の放射係数   1.
Tvaf1 Vafの1次温度係数 1/℃ 0.
Tvaf2 Vafの2次温度係数 1/℃ 0.
Tvar1 Varの1次温度係数 1/℃ 0.
Tvar2 Varの2次温度係数 1/℃ 0.
Tikf1 Ikfの1次温度係数 1/℃ 0.
Tikf2 Ikfの2次温度係数 1/℃ 0.
Trbm1 Rbmの1次温度係数 1/℃ 0.
Trbm2 Rbmの2次温度係数 1/℃ 0.
Tbvcbo1 BVcboの1次温度係数 1/℃ 0.
Tbvcbo2 BVchoの2次温度係数 1/℃ 0.

Spiceピンオーダー設定

Spiceピンオーダーは、コレクタピンに"C"、ベースピンに"B"、エミッタピンに"E"と、設定してください。
もし回路図によってサブストレートが必要な場合は、サブストレートピンに"S"と設定してください。必要ない場合は省略する事が出来ます。

ピンオーダー一覧
Spiceピンオーダー シンボルピン番号
C コレクタのピンを設定
B ベースのピンを設定
E エミッタのピンを設定
S サブストレートのピンを設定

※設定を間違えると、回路図と異なる接続でシミュレーションされるので注意してください。