Quadcept : MOSFET M-MOSFETS

デバイスタイプ MOSFET M-MOSFETS

デバイスタイプ MOSFET M-MOSFETSについてご説明します。

モデル設定

MOSFETはその特性を指定するのに、モデル一覧から選択が必要です。
”Parameter”一覧の"VDMOS"の次に"pchan"と記載があるとPNP型FETです。無記入の場合はNPN型FETです。

その他にも"パラメーター"に、チャンネル長、チャンネル幅を設定する事が出来ます。
入力する際に、チャンネル長、チャンネル幅の順で半角スぺース区切りです。
例 0.5 OFF

パラメーター 内容
Area 面積係数 ※省略時は"1"
例 1 0.5
OFF 部品特性解析時の初期条件 ※省略可能
例 OFF

選択したモデル内に記載されているモデルパラメーターは下記の意味になります。

名前 概要 単位 デフォルト値
Vto しきい値 V 0 1.0
Kp トランスコンダクタンス・パラメータ A/V^2 1. .5
Phi 表面反転電位 V 0.6 0.65
Lambda チャンネル長調整 1/V 0. 0.02
mtriode 三極管領域での導電率乗数(三極管領域と飽和領域の個別の適合が可能になります。)   1. 2.
subthres 2乗から指数関数的なしきい値以下の導通に切り替わる(Vds1V当たりの)電流 A/V 0. 1n
BV Vdsのブレークダウン電圧 V Infin. 40
IBV Vds=BVのときの電流 A 100pA 1u
NBV Vdsブレークダウンの放射係数   1. 10
Rd ドレインのオーミック抵抗   0. 1.
Rs ソースのオーミック抵抗   0. 1.
Rg ゲートのオーミック抵抗   0. 2.
Rds ドレイン-ソース関分流抵抗   Infin. 10Meg
Rb ボディ・ダイオードのオーミック抵抗   0. .5
Cjo ゼロバイアスでのボディ・ダイオード接続容量 F 0. 1n
Cgs ゲート-ソース間容量 F 0. 500p
Cgdmin 非線形G-D間容量の最小値 F 0. 300p
Cgmax 非線形G-D間容量の最大値 F 0. 1000p
A 非線形のCgd容量パラメータ   1. .5
Is ボディ・ダイオードの飽和電流 A 1E-14 1E-15
N バルク・ダイオードの放射係数   1.  
Vj ボディ・ダイオードの接合電位 V 1. 0.87
M ボディ・ダイオードの濃度勾配係数   0.5 0.5
Fc 順バイアス時の空之層容量式のボディ・ダイオード係数   0.5  
oneway 電流がチャンネルの一方向にのみ流れることができることを示す挙動モデリング・フラグ      
tt ボディ・ダイオードの遷移時間 sec 0. 10n
Eg Isに対する温度の影響に対応するボディ・ダイオード活性化エネルギー eV 1.11  
Xti ボディ・ダイオードの飽和電流温度指数   3.  
L 長さのスケーリング   1.  
W 幅のスケーリング   1.  
Kf フリッカ・ノイズ係数   0.  
Af フリッカ・ノイズ指数   1.  
nchan Nチャンネル VDMOS   (true)  
pchan Pチャンネル VDMOS   (false)  
Tnom パラメータ測定温度 27  
Lmin ピン長さの下限 m 0. 10u
Lmax ピン長さの上限 m 0. 20u
Wmin ピン幅の下限 m 0. 1
Wmax ピン幅の上限 m 0. 10

Spiceピンオーダー設定

Spiceピンオーダーは、ドレインピンに"D"、ゲートピンに"G"、ソースピンに"S"と、設定してください。
もし回路図によってバルクピンが必要な場合は、バルクピンに"B"と設定してください。必要ない場合は省略する事が可能です。

ピンオーダー一覧
Spiceピンオーダー シンボルピン番号
D ドレインのピンを設定
G ゲートのピンを設定
S ソースのピンを設定
B バルクのピンを設定

※設定を間違えると、回路図と異なる接続でシミュレーションされるので注意してください。