Quadcept : トランジスタ J-Junction Field-Effect Transistors

デバイスタイプ トランジスタ J-Junction Field-Effect Transistors

デバイスタイプ トランジスタ J-Junction Field-Effect Transistorsについてご説明します。

モデル設定

JFETはその特性を指定するのに、モデル一覧から選択が必要です。
”Parameter”一覧の".model 型番"の次にある"NJF"と"PJF"はトランジスタの極性を意味します。

その外にも"パラメーター"に、面積係数、部品特性解析の初期条件、初期電圧を設定する事が出来ます。
入力する際は面積係数、部品特性解析の初期条件、初期電圧の順番の順で半角スぺース区切りです。
例 0.5 OFF IC=0.5,0.5

パラメーター 内容
Area 面積係数 ※省略時は"1"
例 1 0.5
OFF 部品特性解析時の初期条件 ※省略可能
例 OFF
IC 初期電圧は時間軸解析でDC動作点の"解析を省略"にチェックがある場合にのみ有効
IC=VDS,VGSと入力します。VDSはD-S間電圧、VGSはG-S間電圧 
例 IC=0.5,0.5

選択したモデル内に記載されているモデルパラメーターは下記の意味になります。

名前 概要 単位 デフォルト値
Vto しきい値 V -2.0 -2.0
Beta トランスコンダクタンス・パラメータ A/V^2 1.0E-04 1.0E-03
Lambda チャンネル長調整パラメータ 1/V 0 1.0E-04
Rd ドレインのオーミック抵抗 0. 100
Rs ソースのオーミック抵抗 0. 100
Cgs ゼロバイアスでのG-S接合容量 F 0. 5p
Cgd ゼロバイアスでのG-D接合容量 F 0. 1p
Pb ゲートの接合部電位 V 1. 0.6
m ゲート接合部の濃度勾配係数   .5 0.8
Is ゲート接合部の飽和電流 A 1.00E-14 1.00E-14
B ドーピングのテール・パラメータ   1 1.1
KF フリッカ・ノイズ係数   0  
Nlev ノイズ式セレクタ   0 3
Gdsnoi niev=3の場合のショット・ノイズ係数   1. 2.
AF フリッカ・ノイズ指数   1  
Fc 順バイアスでの空之層容量の係数   .5  
Tnom パラメータ測定温度 27 50
BetaTce °ランスコンダクタンス・パラメータの指数温度係数 %/℃ 0  
VtoTc しきい値電圧の温度係数 V/℃ 0  
N ゲート接合部の放射係数   1.  
Isr ゲート接合部の再結合電流パラメータ A 0.  
Nr Isrの放射係数   2  
alpha イオン化係数 1/V 0  
Vk イオン化屈曲点電圧 V 0  
Xti 飽和電流の温度係数   3  
mfg メーカーの注釈   3 ACME
Semi
Ltd.

 

Spiceピンオーダー設定

Spiceピンオーダーは、ドレインピンに"D"、ゲートピンに"G"、ソースピンに"S"と、設定してください。

ピンオーダー一覧
Spiceピンオーダー シンボルピン番号
D ドレインのピンを設定
G ゲートのピンを設定
S ソースのピンを設定

※設定を間違えると、回路図と異なる接続でシミュレーションされるので注意してください。